PW2301A采用先进的沟槽技术,高密度,低导通电阻,是一个非常有效和可靠的MOS管装置。PW2301A是一颗P沟道的MOS管
A1SHB是PW2301A芯片,低导通内阻:RDS(ON) < 110mΩ
@ VGS=4.5V
PW2301A的VDS = -20V, ID = -3A
PW2301A采用SPT23-3L的环保材质封装。
一般说明
PW2301A采用先进的沟槽,它利用较新的加工技术来达到电池密度高,重复雪崩率高,降低导通电阻。这些特征使这一设计成为一个非常有效和可靠的装置,用于电源开关应用程序和各种各样的其他应用程序。
特征
VDS=-20V,ID=-3A
RDS(开)<110mΩ@VGS=4.5V
提供3针SOT23-3封装