PW2305采用先进的沟槽技术,高密度,低导通电阻,是一个非常有效和可靠的MOS管装置。PW2305是一颗P沟道的低内阻场效应MOS管。
PW2305具有比PW2302A更高的ID电流值,内阻比PW2302A偏低。
PW2305基本参数:VDS = -20V, ID =-4.9A,RDS(ON) < 38mΩ @ VGS=-4.5V
PW2305采用SOT23-3L环保材质封装形式。
PW2305采用先进的沟道技术,提供良好的RDS(ON)、低栅较电荷和栅电压低至4.5V时工作。该装置适用于电池保护或在其他交换应用中。
特征
VDS=-20V ID=-4.9A
RDS(开)<38mΩ@VGS=-4.5V
提供3针SOT23-3封装