供应PW2305芯片，原装现货，技术支持

PW2305采用先进的沟槽技术，高密度，低导通电阻，是一个非常有效和可靠的MOS管装置。PW2305是一颗P沟道的低内阻场效应MOS管。

PW2305具有比PW2302A更高的ID电流值，内阻比PW2302A偏低。

PW2305基本参数：VDS = -20V， ID =-4.9A，RDS(ON) < 38mΩ @ VGS=-4.5V

PW2305采用SOT23-3L环保材质封装形式。

     PW2305采用先进的沟道技术，提供良好的RDS（ON）、低栅较电荷和栅电压低至4.5V时工作。该装置适用于电池保护或在其他交换应用中。

特征

VDS=-20V ID=-4.9A

RDS（开）<38mΩ@VGS=-4.5V

提供3针SOT23-3封装