PW2307采用先进的沟槽技术,高密度,低导通电阻,是一个非常有效和可靠的MOS管装置。PW2307是一颗P沟道的低内阻场效应MOS管。
PW2307具有比PW2305更高的ID电流值,内阻比PW2305和PW2302A偏低
PW2307基本参数:VDS = -20V, ID =-7A,RDS(ON) < 20mΩ @ VGS=-4.5V
PW2307采用SOT23-3L环保材质的封装形式。
一般说明PW2307采用先进的沟道技术,提供良好的RDS(ON)、低栅较电荷和栅电压低至4.5V时工作。该装置适用于电池保护或在其他交换应用中
特征
VDS=-20V ID=-7A
RDS(开)<20mΩ@VGS=-4.5V
提供3针SOT23-3封装