PW3400A采用先进的沟槽技术,高密度,低导通电阻,是一个非常有效和可靠的MOS管装置。PW3400A是一颗N沟道的低内阻场效应MOS管。
PW3400A具有比PW2302A更高的ID电流值,和更高的VDS耐压
PW3400A基本参数:VDS = 30V, ID =5.8A,RDS(ON) < 28mΩ @ VGS=10V
PW3400A采用SOT23-3L环保材质的封装形式。
一般说明
PW3400A采用先进的沟道技术,提供良好的RDS(ON)、低栅电荷和栅电压低至2.5V时工作。该装置适用于电池保护或在其他交换应用中。
特征
VDS=30V ID=5.8A
RDS(开)<28mΩ@VGS=10V
提供3针SOT23-3包装